Øvingsoppgaver PHYS321: Difference between revisions

From ift
mNo edit summary
mNo edit summary
 
(One intermediate revision by the same user not shown)
Line 7: Line 7:


# Tegn skjema
# Tegn skjema
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal
# Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrivestabilitet og lesestabilitet)
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp.
# Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.


=== VHDL ===
=== VHDL ===

Latest revision as of 12:49, 5 March 2015

Øving i bruk av IC Studio

Denne øvingen skal gi innblikk i bruken av IC Studio

Du skal tegne en 6 transistor SRAM-celle med Bitline conditioning og write driver (kun 1 bit RAM). Bruk hierarkisk skjema, der hver hovedfunksjon har sitt underskjema.

  1. Tegn skjema
  2. Simulere og verifiser at RAM-cellen virker som den skal. (Sjekk skrivestabilitet og lesestabilitet)
  3. Tegn utlegg for selve RAM-cellen. Pass på at den kan stables ved siden av identiske celler, slik at en NxM blokk RAM kan bygges opp. Sjekk LVS og DRC.

VHDL

Utfyllende tekst kommer